一、 概述：

參照硅片電阻率測量的國際標準（ASTM F84）及國家標準設計制造該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》，采集高精密集成電路恒流源系統，提供便捷的操作模式，便攜式外形結構，可充電式電源系統，中英文語言版本.

二、 功能介紹：

便攜式外形結構更加適用于車間生產、品管抽檢，外出攜帶測量等要求快速便捷測量的場所；也適用于中小型半導體材料生產企業.具有高性價比優勢.

液晶顯示，顯示方阻、電阻率、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度，樣品厚度單位從米到納米均可輸入，自動測量、質量輕便，操作簡便； 

三、適用范圍：

廣泛用于：覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料

硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率  導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等.

四、技術參數資料