目前，市場上應用的固體圖像傳感器主要有CCD與CMOS兩種。本文從技術性能的角度、器件的內外部結構、原理、應用、生產制造的工藝與設備等方面將兩者作比較，從目前看，兩者各有優劣；從發展看，CMOS圖像傳感器將取代CCD而獲得比CCD更為廣泛的應用。
 
　　固體圖像傳感器(也稱固體光電成像器件)有CCD與CMOS兩種。CCD是“電荷耦合器件”(ChargeCoupledDevice)的簡稱，而CMOS是“互補金屬氧化物半導體”(ComplementarymetalOxideSemiconductor)的簡稱。CCD是1970年美國貝爾實驗室的W·B·Boyle和G·E·Smith等人發明的，從而揭開了電荷傳輸器件的序幕。此后，人們利用這一技術制造了攝像機與數碼相機，將圖像處理行業推進到一個全新領域。CCD是一種用于捕捉圖像的感光半導體芯片，廣泛運用于掃描儀、復印機、攝像機及無膠片相機等設備。作為相機，與膠卷的原理相似，光學圖像(即實際場景)穿過鏡頭投射到CCD上。但與膠卷不同的是CCD沒有“曝光”能力，也沒有能力記錄和存貯圖像數據，而是將圖像數據不停留地送入一個A/D轉換器、信號處理器與存貯設備，但可重復拍攝和即時調整，其影像可無限次復制而不降低質量，也方便保存。

　　CMOS本來是計算機系統內的一種重要芯片，它可保存系統引導所需的大量資料。在20世紀70年代初，有人發現，將CMOS引入半導體光敏二極管后也可作為一種感光傳感器，但在分辨率、噪聲、功耗和成像質量等方面都比當時的CCD差，因而未獲得發展。隨著CMOS工藝技術的發展，采用標準的CMOS工藝能生產高質量、低成本的CMOS成像器件。這種器件便于大規模生產、其功耗低與成本低廉的特性都是商家們夢寐以求的。如今，CCD與CMOS兩者共存，CCD暫時還是“主流”，但CMOS將取代CCD而成為圖像傳感器的主流。下面從技術性能、器件的內外部結構、原理、應用、生產制造的工藝與設備等方面將兩者作一比較，最后歸納一比較表，并展望其發展前景。
 
　　基本結構及工作原理對比

　　CCD是在MOS晶體管的基礎上發展起來的，其基本結構是MOS(金屬—氧化物—半導體)電容結構。它是在半導體P型硅(si)作襯底的表面上用氧化的辦法生成一層厚度約1000??1500?的SiO2，再在SiO2表面蒸鍍一層金屬(如鋁)，在襯底和金屬電極間加上一個偏置電壓(稱柵電壓)，就構成了一個MOS電容器。所以，CCD是由一行行緊密排列在硅襯底上的MOS電容器陣列構成的。

　　目前的CCD器件均采用光敏二極管代替過去的MOS電容器，即在P型Si襯底上擴散一個N+區域以形成P-N結二極管。通過多晶硅相對二極管反向偏置，于是在二極管中產生一個定向電荷區(稱之為耗盡區)。在定向電荷區中，光生電子與空穴分離，光生電子被收集在空間電荷區中。空間電荷區對帶負電的電子而言、是一個勢能特別低的區域，因此通常又稱之為勢阱。投射光產生的光生電荷就儲存在這個勢阱之中，勢阱能夠儲存的最大電荷量又稱之為勢阱容量，勢阱容量與所加柵壓近似成正比。光敏二極管和MOS電容器相比，光敏二極管具有靈敏度高，光譜響應寬，藍光響應好，暗電流小等特點。如果將一系列的MOS電容器或光敏二極管排列起來，并以兩相、三相或四相工作方式把相應的電極并聯在一起，并在每組電極上加上一定時序的驅動脈沖，這樣就具備了CCD的基本功能。

　　一般，最基本的CMOS圖像傳感器是以一塊雜質濃度較低的P型硅片作襯底，用擴散的方法在其表面制作兩個高摻雜的N+型區作為電極，即場效應管的源極和漏極，再在硅的表面用高溫氧化的方法覆蓋一層二氧化硅(SiO2)的絕緣層，并在源極和漏極之間的絕緣層的上方蒸鍍一層金屬鋁，作為場效應管的柵極。最后，在金屬鋁的上方放置一光電二極管，這就構成了最基本的CMOS圖像傳感器。

　　為使CMOS圖像傳感器工作，必須在P型硅襯底和源極接電源負極，漏極接電源正極。當無圖像光信號照射到光敏二極管上時，源極和漏極之間無電流通過，因此無信號輸出;當有圖像光信號照射到光敏二極管上時，光敏元件的價帶電子獲得能量激發躍遷到導帶而形成圖像光電子，因而在源極和漏極之間形成電流通路而輸出圖像電信號。入射圖像光信號越強，在光敏材料中激發的導電粒子(電子與空穴)越多，從而使源、漏極之間的電流越大，因而輸出信號越大。所以，輸出信號的大小直接反映了入射光信號的強弱。

　　在CMOS攝像器件中，電信號是從CMOS晶體管開關陣列中直接讀取的，而不需要象CCD那樣逐行讀取。

　　由上基本結構與原理可知，從成像器件本身的內外部結構看，兩者是不同的。

　　內部結構對比

　　面陣CCD的成像點為X—Y縱橫矩陣排列，而每個成像點由一個光電二極管和其轉移控制的一個鄰近電荷存貯區(暫存區)組成。由于排列和組成方式不同，面陣CCD有幀轉移型、行間轉移型、幀行間轉移型、線轉移型與虛向型等。當光電二極管將光學圖像轉換為電荷圖像(電荷數量與光強度成正比)貯存于勢阱中時，通過轉移控制很快轉移到緩存區和電荷傳輸方向的移位寄存器中，然后通過二或三或四相時鐘驅動脈沖向輸出端一位位轉移，經輸出電路電荷/電壓轉換和放大器輸出視頻信號。這種構造產生的圖像具有低噪聲、高性能的特點，但需要二或三或四相時鐘驅動、柵偏壓、轉移控制及復位脈沖等，因此整個構造復雜，增大了耗電量，也增加了成本。

　　而CMOS成像器的構造如同一個存貯器，它將數字邏輯電路、時鐘及A/D轉換等在同一加工程序中集成在一起。每個成像點包含一個光電二極管，一個電荷/電壓轉換、一個重新設置和選擇管與一個放大器。整個成像器上復蓋計時應用和讀取信號的金屬互連器以及縱向排列的輸出信號互連器，信號讀取通過簡單的X-Y尋址技術直接從開關放大陣列中直接讀出，比CCD快和方便。 
　　從成像器在產品應用上的外部結構對比

　　CCD成像器需有外圍驅動電路才能工作，它僅能輸出模擬電信號，這種信號要經后續的地址譯碼器、模數轉換器，圖像信號處理器處理，集成度非常低。如由面陣CCD構成的數碼相機通常有六個芯片，有的多達八片，最少也要三片，從而使體積不能減小，制作成本較高。

　　而CMOS成像器不需要外圍驅動電路，它是將光電二極管、圖像信號放大器、信號讀取電路、模數轉換器、圖像信號處理器及控制器等集成到一塊芯片上，而且制造加工只需采用半導體廠家生產集成電路的流程即可。若構成數碼相機，可將數碼相機的所有部件都集成到這一塊芯片上，即“單芯片相機”。因此，采用CMOS芯片的光電圖像轉換系統，不但能降低系統的整體成本與組裝所需的時間，而且還大大縮小系統的體積和復雜度。

　　CMOS與CCD在制造工藝與設備上的對比

　　由于CCD成像器的信號需要一行一行地讀出，這樣，在離輸出放大器較遠的像素，電荷必須經過多次傳輸才能被讀出，因此在CCD成像器件的制作上，必須使每個像素都完美無缺(即完好無損)，否則某一列的信號便無法完整地讀出。此外，每次電荷的傳輸還必須非常干凈，即電荷傳輸效率要非常高，否則會因電荷的屯積而造成影像污點。因此，雖然CCD的材料是硅芯片，但必須要有特殊的制造工藝技術與設備，并且還要累積相當的制造經驗，才能確保高像素的正品率及高的電荷傳輸效率。所以CCD的生產極易由少數廠商所壟斷。

　　而CMOS成像器件的制作比較簡單、容易，因為它只需要使用一般的半導體制造工藝與設備，不必自備昂貴的半導體制造工藝設備。只需將CMOS線路設計好，請一些半導體廠代為加工即可。因此，CMOS成像器件在開發及制造成本上很具競爭力。

　　CMOS與CCD在技術性能上的對比

　　信息讀取方式的對比

　　CCD光電成像器件存貯的電荷信息，需要在二相或三相或四相時鐘驅動脈沖的控制下，一位一位地實施轉移后逐行順序讀取。

　　而CMOS光電成像器件的光學圖像信息經光電轉換后產生電流或電壓信號，這個電信號不需要像CCD那樣逐行讀取，而是從CMOS晶體管開關陣列中直接讀取的，可增加取像的靈活性。而CCD絕無此功能。

　　速度的對比

　　由上知，CCD成像器件需在二、三、四相時鐘驅動脈沖的控制下，以行為單位一位一位地輸出信息，所以速度較慢。

　　而CMOS成像器件在采集光電圖像信號的同時就可取出電信號，它并能同時處理各單元的圖像信息，所以速度比CCD成像器件快得多。由于CMOS成像器件的行、列電極可以被高速地驅動，再加上在同一芯片上做A/D轉換，圖像信號能快速地取出，因此它可在相當高的幀速下動作。如有些設計用來做機器視覺的CMOS，聲稱可以高達每秒1000個畫面的幀速。

　　電源及耗電量的對比

　　由于CCD的像素由MOS電容構成，讀取電荷信號時需使用電壓相當大(至少12V)的二相或三相或四相時序脈沖信號，才能有效地傳輸電荷。因此CCD的取像系統除了要有多個電源外，其外設電路也會消耗相當大的功率。有的CCD取像系統需消耗2?5W的功率。

　　而CMOS光電成像器件只需使用一個單電源5V或3V，耗電量非常小，僅為CCD的1/8?1/10，有的CMOS取像系統只消耗20?50mW的功率。

　　成像質量的對比

　　CCD成像器件制作技術起步早，技術成熟，采用PN結或二氧化硅(sio2)隔離層隔離噪聲，所以噪聲低，成像質量好。

　　與CCD相比，CMOS的主要缺點是噪聲高及靈敏度低，因為CMOS成像器件集成度高，各光電元件、電路之間距離很近，相互之間的光、電、磁干擾嚴重，噪聲對圖像質量影響很大，開始很長一段時間無法進入實用。后來，噪聲的問題用有源像素(ActivePixel)設計及噪聲補正線路加以降低。近年，隨著CMOS電路消噪技術的不斷進展，為生產高密度優質的CMOS成像器件提供了良好的條件。已有廠商聲稱，所開發出的技術，成像質量已不比CCD差。

　　CMOS成像器件的靈敏度低，是因為像素部分面積被用來制作放大器等線路。在固定的芯片面積上，除非采用更精細的制造工藝，否則為了維持相當水準的靈敏度，成像器件的分辨率不能做得太高(反過來說，固定分辯率的傳感器，芯片尺寸無法做得太小)。但目前，利用0.18μm制造技術己開發出了4096×4096超高分辨率的CMOS圖像傳感器。

　　CMOS與CCD在應用上的對比

　　CCD的發展已有32年的歷史，可以說是相當成熟的產品。目前技術的發展主要在于如何縮小傳感器的面積、降低生產成本及提高商用性能。CCD的主流應用正逐漸從***攝像機、安全監控攝像機等演進到數字多媒體應用，如數字攝像機(DigitalVideoCamcorder)、數字相機DSC(DigitalStillCamera)等。由于便攜式數字相機要求輕、薄、短小，百**作成DPS、自動記時、隨機存取、無損讀取、抗光暈和耐輻射等特點，而有不可抗拒的廣闊的市場誘惑力和比CCD更加廣泛的應用發展前景。